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L’ accoppiamento con lo smartphone non è mai stato così rapido: il Plug&Play si ottiene semplicemente aprendo la custodia degli auricolari e la stabilità di connessione è garantita entro i 10 metri.
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Al sicuro e protetti nella loro custodia, ma anche in ricarica! Infatti la custodia è essa stessa una base di ricarica garantendo fino a 4 ricariche complete degli auricolari.
Tutto con un tocco! Grazie al controllo touch è
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Patriot Memory VP4300. Capacità SSD: 2000 GB, Dimensione SSD: M.2, Velocità di lettura: 7400 MB/s, Velocità di scrittura: 6800 MB/s
I drive SSD NV3 PCIe 4.0 NVMe sono uno storage innovativo dotato di controller NVMe Gen 4x4 per raggiungere velocità in lettura/scrittura di 6.000/5.000MB/s*. Disponibili in entrambi i formati single-sided M.2 22x80 mm e 22x30 mm, espandono lo storage in sistemi compatti come laptop e console portatili*****. Possono ridurre il consumo energetico e la produzione di calore, ottimizzando così le prestazioni del sistema senza comprometterne il valore, e offrono tutta la capacità di storage che serve ad applicazioni, documenti, foto, video, gaming e altri contenuti con capacità da 500GB a 4TB**.
Prestazioni di livello Gen 4x4 NVMe PCIe
Upgrade del sistema con velocità in lettura/scrittura fino a 6.000/5.00
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Patriot Memory PSD416G26662S. Componente per: PC/server, RAM installata: 16 GB, Layout di memoria (moduli x dimensione): 1 x 16 GB, Tipo di RAM: DDR4, Velocità memoria: 2666 MHz, Fattore di forma memoria: 260-pin SO-DIMM, Latenza CAS: 19.
Batteria ermetica al piombo 12V, 4,5Ah.
Esente da manutenzione, progettata per dispositivi elettrici, gruppi di continuità (UPS), allarmi antincendio, sistemi di sicurezza, ecc.
Particolarmente indicata per frequenti cicli di carica/scarica.
Si ricarica con caricatori per batterie al piombo oppure con il sistema di carica del dispositivo/veicolo in cui è installata.
Patriot Memory Signature PSD44G266682S. Componente per: Computer portatile, RAM installata: 4 GB, Layout di memoria (moduli x dimensione): 1 x 4 GB, Tipo di RAM: DDR4, Velocità memoria: 2666 MHz, Fattore di forma memoria: 260-pin SO-DIMM, Latenza CAS: 19
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